Samsung इलेक्ट्रानिक्स DRAM निर्माण में एक सफलता की बदौलत एकल मॉड्यूल में 1 TB DDR5 मेमोरी जारी करने का इरादा रखता है।
दक्षिण कोरियाई कंपनी विकसित 32एनएम प्रक्रिया का उपयोग करते हुए, उच्चतम क्षमता वाली मेमोरी उद्योग की पहली 5-गीगाबिट (जीबी) डीडीआर12 रैम। इसको धन्यवाद Samsung 5TB DDR1 मेमोरी मॉड्यूल का उत्पादन करने में सक्षम होगा, लेकिन 32GB DRAM पर जाने का एक और लाभ है। 5nm प्रक्रिया का उपयोग करके निर्मित मौजूदा 16GB DDR12 DRAM मॉड्यूल की तुलना में, 128GB मॉड्यूल की बिजली खपत 10% कम हो जाएगी।
DRAM उत्पादों और प्रौद्योगिकी के उपाध्यक्ष सांग-जून ह्वान के अनुसार Samsung इलेक्ट्रॉनिक्स, शुरू में इस मेमोरी के मुख्य उपभोक्ता डेटा सेंटर, कृत्रिम बुद्धिमत्ता और बड़े डेटा होंगे: "32 एनएम वर्ग की हमारी 12 गीगाबाइट DRAM मेमोरी के लिए धन्यवाद, हमने एक समाधान प्राप्त किया है जो हमें DRAM मॉड्यूल बनाने की अनुमति देगा 1 टीबी तक की मात्रा, जो हमें एआई (कृत्रिम बुद्धिमत्ता) और बड़े डेटा के युग में उच्च क्षमता वाली रैम की बढ़ती आवश्यकता को पूरा करने के लिए आदर्श स्थिति में रहने की अनुमति देगी... हम विभेदित विनिर्माण प्रक्रियाओं का उपयोग करके DRAM समाधान विकसित करना जारी रखेंगे और मेमोरी प्रौद्योगिकी की सीमाओं को आगे बढ़ाने के लिए प्रौद्योगिकियों को डिज़ाइन करें।"
कम बिजली की खपत के साथ कम जगह में अधिक मेमोरी डेटा सेंटर ऑपरेटरों के बीच हमेशा लोकप्रिय रहेगी। हालाँकि, यह मेमोरी तकनीक अंततः हमारे डेस्कटॉप पीसी और लैपटॉप में उपयोग किए जाने वाले DDR5 मॉड्यूल में स्थानांतरित हो जानी चाहिए। वर्तमान में, चार मॉड्यूल वाली 192 जीबी मेमोरी किट उपभोक्ताओं के लिए उच्चतम स्तर की प्रतीत होती है।
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