Samsung आज 236-लेयर 8D NAND मेमोरी के बड़े पैमाने पर उत्पादन की शुरुआत की घोषणा की, जिसे कंपनी 2400वीं पीढ़ी V-NAND कहती है। नए चिप्स में 12 Mbit/s की डेटा अंतरण दर है, और एक बेहतर नियंत्रक के संयोजन में, वे XNUMX Gbit/s से अधिक की डेटा अंतरण दर के साथ क्लाइंट-क्लास सॉलिड-स्टेट ड्राइव के निर्माण को सक्षम करते हैं।
नई 8वीं पीढ़ी के वी-नंद डिवाइस की क्षमता 1 टीबी (128 जीबी) है, जो Samsung चिप आकार या वास्तविक घनत्व का खुलासा किए बिना उद्योग के उच्चतम बिट घनत्व का दावा करता है। चिप में 2400 एमबीपीएस की डेटा ट्रांसफर दर भी है, जो कि सर्वश्रेष्ठ पीसीआईई 5.0 x4 सॉलिड स्टेट ड्राइव के लिए महत्वपूर्ण है, जो उपयुक्त नियंत्रक के साथ जोड़े जाने पर 12,4 जीबीपीएस (या अधिक!) की बिजली-तेज डेटा ट्रांसफर गति प्रदान करता है।
Samsung दावा है कि 3डी नंद मेमोरी की नई पीढ़ी समान क्षमता के मौजूदा फ्लैश इंटरफेस की तुलना में प्रति वेफर 20% अधिक प्रदर्शन प्रदान करेगी, जो कंपनी की लागत (समान प्रदर्शन को मानते हुए) को कम करेगी, संभावित रूप से सॉलिड-स्टेट ड्राइव के लिए कम कीमत।
इस बीच, कंपनी डिवाइस के आर्किटेक्चर के बारे में कुछ नहीं कह रही है, लेकिन प्रदान की गई छवि के आधार पर, हम मान सकते हैं कि यह दो-प्लेन 3D NAND चिप है।
"जैसा कि बाजार में सघनता की मांग है, उच्च क्षमता वाले स्टोरेज ड्राइव से V-NAND परतों की संख्या बढ़ जाती है, Samsung सेल-टू-सेल हस्तक्षेप से बचने के लिए सतह क्षेत्र और ऊंचाई को कम करने के लिए अपनी उन्नत 3D स्केलिंग तकनीक को लागू किया, जो आमतौर पर स्केलिंग के दौरान होता है, सोंगहोई हूर, कार्यकारी उपाध्यक्ष ने कहा Samsung फ्लैश मेमोरी और प्रौद्योगिकियों पर इलेक्ट्रॉनिक्स। "हमारी आठवीं पीढ़ी का वी-नंद तेजी से बढ़ती बाजार की मांग को पूरा करने में मदद करेगा और हमें अधिक विशिष्ट उत्पाद और समाधान देने के लिए बेहतर स्थिति देगा जो भविष्य के भंडारण नवाचारों को रेखांकित करेगा।"
Samsung ने 8वीं पीढ़ी के वी-नंद मेमोरी के आधार पर किसी वास्तविक उत्पाद की घोषणा नहीं की है, लेकिन हम मान सकते हैं कि पहले डिवाइस क्लाइंट अनुप्रयोगों पर केंद्रित होंगे।
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