Samsung ने 16-गीगाबिट DDR5 DRAM मेमोरी का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू करने की घोषणा की, जो 12-नैनोमीटर वर्ग की उद्योग की सबसे उन्नत तकनीकी प्रक्रिया का उपयोग करती है। सबसे आधुनिक उत्पादन प्रक्रिया का पूरा होना एक बार फिर कंपनी के नेतृत्व की पुष्टि करता है Samsung उन्नत DRAM प्रौद्योगिकियों के क्षेत्र में।
पिछली पीढ़ी की तुलना में नई रैम Samsung 5nm वर्ग DDR12 DRAM बिजली की खपत को 23% कम करता है जबकि वेफर प्रदर्शन को 20% बढ़ाता है। उत्कृष्ट ऊर्जा दक्षता इसे वैश्विक आईटी कंपनियों के लिए एक आदर्श समाधान बनाती है जो अपने सर्वर और डेटा केंद्रों की ऊर्जा खपत और कार्बन फुटप्रिंट को कम करना चाहती हैं।
विकास Samsung उच्च चालकता वाली एक नई सामग्री के उपयोग से 12 एनएम प्रक्रिया प्रौद्योगिकी संभव हो गई है, जो कोशिकाओं की क्षमता बढ़ाने में मदद करती है। उच्च समाई डेटा संकेतों में विद्युत क्षमता में एक महत्वपूर्ण अंतर की ओर ले जाती है, जिससे उन्हें सटीक रूप से अलग करना आसान हो जाता है। ऑपरेटिंग वोल्टेज को कम करने और शोर को कम करने के लिए कंपनी के प्रयासों ने ग्राहकों के लिए आवश्यक इष्टतम समाधान बनाने में भी मदद की।
7,2 गीगाबिट्स प्रति सेकंड की अधिकतम गति के साथ, जिसका अर्थ है कि दो 30GB UHD फिल्मों को लगभग एक सेकंड में संसाधित किया जा सकता है, सैमसंग की 5nm DDR12 DRAM लाइन डेटा केंद्रों, कृत्रिम बुद्धिमत्ता और अगली पीढ़ी के कंप्यूटिंग सहित अनुप्रयोगों की बढ़ती सूची का समर्थन करेगी।
पिछले दिसंबर में, सैमसंग ने एएमडी के साथ संगतता के लिए अपने 16-गीगाबिट डीडीआर5 डीआरएएम का परीक्षण पूरा किया और अगली पीढ़ी के डीआरएएम बाजार में नवाचार करने के लिए वैश्विक आईटी कंपनियों के साथ काम करना जारी रखा।
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