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एयरोस्पेस अनुप्रयोगों के लिए 1 Gbit (128 MB) STT-MRAM असतत मेमोरी चिप्स के लॉन्च की घोषणा अभी की गई है। यह पहले की पेशकश की तुलना में कई गुना सघन मैग्नेटोरेसिस्टिव मेमोरी है। यदि हम कंपनी माइक्रोस के उत्पादों के बारे में बात करते हैं, तो एसटीटी-एमआरएएम मेमोरी तत्वों के प्लेसमेंट का वास्तविक घनत्व 64 गुना बढ़ जाता है, जो एयरोस्पेस और रक्षा उद्योगों के लिए अल्ट्रा-विश्वसनीय इलेक्ट्रॉनिक स्टफिंग का उत्पादन करता है।
STT-MRAM माइक्रोस चिप्स अमेरिकी कंपनी एवलांच टेक्नोलॉजी की तकनीक पर आधारित हैं। हिमस्खलन की स्थापना 2006 में लेक्सर और सिरस लॉजिक के मूल निवासी पीटर एस्टाखरी ने की थी। हिमस्खलन के अलावा, एवरस्पिन और Samsung. पहला ग्लोबल फाउंड्रीज के सहयोग से काम करता है और 22 एनएम के तकनीकी मानकों के साथ एम्बेडेड और असतत एसटीटी-एमआरएएम की रिहाई पर केंद्रित है, और दूसरा (Samsung) नियंत्रकों में निर्मित 28 एनएम ब्लॉक के रूप में एसटीटी-एमआरएएम जारी करते समय। 1 जीबी की क्षमता वाला एसटीटी-एमआरएएम का एक ब्लॉक, वैसे, Samsung करीब तीन साल पहले पेश किया था।
माइक्रोस की योग्यता को असतत 1Gbit STT-MRAM की रिलीज़ माना जा सकता है, जो NAND-फ़्लैश के बजाय इलेक्ट्रॉनिक्स में उपयोग करना आसान है। एसटीटी-एमआरएएम मेमोरी एक बड़े तापमान रेंज (-40 डिग्री सेल्सियस से 125 डिग्री सेल्सियस तक) में लगभग अनंत संख्या में पुनर्लेखन चक्रों के साथ काम करती है। यह विकिरण और तापमान परिवर्तन से डरता नहीं है और 10 साल तक कोशिकाओं में डेटा स्टोर कर सकता है, उच्च पढ़ने और लिखने की गति और कम ऊर्जा खपत का उल्लेख नहीं करता है।
याद रखें कि एसटीटी-एमआरएएम मेमोरी मैग्नेटाइजेशन के रूप में कोशिकाओं में डेटा स्टोर करती है। यह प्रभाव 1974 में आईबीएम में हार्ड ड्राइव के विकास के दौरान खोजा गया था। अधिक सटीक रूप से, तब मैग्नेटोरेसिस्टिव प्रभाव की खोज की गई, जो एमआरएएम प्रौद्योगिकी के आधार के रूप में कार्य करता है। बहुत बाद में, इलेक्ट्रॉन स्पिन (चुंबकीय क्षण) हस्तांतरण प्रभाव का उपयोग करके स्मृति परत के चुंबकीयकरण को बदलने का प्रस्ताव किया गया था। इस प्रकार, संक्षिप्त नाम STT को MRAM नाम में जोड़ा गया। इलेक्ट्रॉनिक्स में स्पिंट्रोनिक्स की दिशा स्पिन के हस्तांतरण पर आधारित है, जो प्रक्रिया में बेहद कम धाराओं के कारण चिप्स की खपत को बहुत कम कर देती है।
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