माइक्रोक्रिस्किट के जापानी निर्माता केओक्सिया विकसित फ्लैश मेमोरी नंद उन्नत प्रौद्योगिकियों के विकास में अपने अमेरिकी समकक्ष माइक्रोन टेक्नोलॉजी और दक्षिण कोरिया के एसके हाइनिक्स के साथ लगभग 170 परतों के साथ।
नई NAND मेमोरी को एक अमेरिकी पार्टनर के साथ मिलकर विकसित किया गया था पश्चिमी डिजिटल और कियॉक्सिया के वर्तमान शीर्ष उत्पाद की तुलना में दोगुनी तेजी से डेटा रिकॉर्ड कर सकता है, जिसमें 112 परतें हैं।
पूर्व में तोशिबा मेमोरी के नाम से विख्यात, कियॉक्सिया सेमीकंडक्टर उद्योग के वार्षिक वैश्विक फोरम, इंटरनेशनल सॉलिड स्टेट कॉन्फ्रेंस में अपना नया नंद पेश करने की योजना बना रहा है और अगले साल की शुरुआत में बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू करने की योजना बना रहा है।
यह डेटा केंद्रों और स्मार्टफोन से जुड़ी मांग को पूरा करने की उम्मीद करता है, क्योंकि पांचवीं पीढ़ी की वायरलेस तकनीकों के प्रसार से डेटा ट्रांसमिशन की मात्रा और गति में वृद्धि होती है। लेकिन इस क्षेत्र में प्रतिस्पर्धा पहले से ही तेज हो रही है: माइक्रोन और एसके हाइनिक्स अपने नए उत्पादों की घोषणा कर रहे हैं।
कियॉक्सिया ने अपने नए एनएएनडी के साथ प्रति परत अधिक मेमोरी सेल फिट करने में भी कामयाबी हासिल की है, जिसका अर्थ है कि यह समान मात्रा में मेमोरी वाले चिप्स को दूसरों की तुलना में 30% छोटा बना सकता है। छोटे माइक्रोक्रिस्किट स्मार्टफोन, सर्वर और अन्य उत्पादों के निर्माण में अधिक लचीलेपन की अनुमति देंगे।
फ्लैश मेमोरी का उत्पादन बढ़ाने के लिए कियॉक्सिया और वेस्टर्न डिजिटल ने इस वसंत में जापान के योक्काइडो में 9,45 बिलियन डॉलर के प्लांट का निर्माण शुरू करने की योजना बनाई है। वे 2022 की शुरुआत में पहली लाइनों को चालू करने का लक्ष्य रखते हैं।
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