यह उम्मीद है कि Samsung योनहाप न्यूज की रिपोर्ट के अनुसार, अगले सप्ताह 3एनएम चिप्स के बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू करने की घोषणा करेगा। यह कंपनी को TSMC से आगे रखता है, जिसके इस साल की दूसरी छमाही में 3nm चिप्स का उत्पादन शुरू होने की उम्मीद है।
5nm प्रक्रिया (जिसका उपयोग स्नैपड्रैगन 888 और Exynos 2100 के लिए किया गया था) की तुलना में, सैमसंग का 3nm नोड क्षेत्र को 35% तक कम करेगा, प्रदर्शन में 30% की वृद्धि करेगा और बिजली की खपत को 50% तक कम करेगा।
यह गेट-ऑल-अराउंड (GAA) ट्रांजिस्टर डिज़ाइन पर स्विच करके प्राप्त किया जाएगा। यह FinFET के बाद अगला कदम है, क्योंकि यह ट्रांजिस्टर के आकार को कम करने की अनुमति देता है बिना करंट के संचालन की उनकी क्षमता से समझौता किए। 3nm नोड पर प्रयुक्त GAAFET डिज़ाइन नीचे दिए गए चित्र में दिखाया गया है।
अमेरिकी राष्ट्रपति जो बाइडेन ने पिछले महीने संयंत्र का दौरा किया था Samsung प्योंगटेक में 3nm प्रौद्योगिकी के प्रदर्शन में भाग लेने के लिए Samsung. पिछले साल, ऐसी अफवाहें थीं कि कंपनी टेक्सास में 10nm फाउंड्री के निर्माण में $ 3 बिलियन का निवेश कर सकती है। ये निवेश बढ़कर 17 अरब डॉलर हो गया है। संयंत्र के 2024 में परिचालन शुरू होने की उम्मीद है।
किसी भी मामले में, नया नोड बनाते समय सबसे बड़ी चिंता आउटपुट है। पिछले साल अक्टूबर में Samsung ने कहा कि 3nm प्रक्रिया का प्रदर्शन "4nm प्रक्रिया के समान स्तर पर पहुंच रहा है"। हालांकि कंपनी ने आधिकारिक आंकड़े पेश नहीं किए हैं, लेकिन विश्लेषकों का मानना है कि 4 एनएम नोड Samsung उत्पादन उत्पादन समस्याओं से जुड़ा था।
3 में दूसरी पीढ़ी के 2023nm नोड की उम्मीद है, और कंपनी के रोडमैप में 2 में 2025nm MBCFET- आधारित नोड भी शामिल है।
आप यूक्रेन को रूसी आक्रमणकारियों से लड़ने में मदद कर सकते हैं। ऐसा करने का सबसे अच्छा तरीका यूक्रेन के सशस्त्र बलों को धन दान करना है जीवन बचाएं या आधिकारिक पेज के माध्यम से NBU.
यह भी पढ़ें:
एक जवाब लिखें